弘扬科学家精神 凝聚创新力量 市科协慰问中科潞安科技工作者
发布时间：
2025-06-07
作者：
来源：
摘要
长治市科学技术协会党组书记、主席张阳平，长治高新区党工委委员、总工程师卫玉玺等一行，专程赴中科潞安开展科技工作者慰问活动。
近日，长治市科学技术协会党组书记、主席张阳平，长治高新区党工委委员、总工程师卫玉玺等一行，专程赴中科潞安开展科技工作者慰问活动。此次走访旨在贯彻落实习近平总书记关于科技创新的重要论述，进一步弘扬科学家精神，营造尊重知识、崇尚创新的社会氛围。
中科潞安董事长李晋闽、总经理闫建昌、人力资源总监陈小丽等公司领导热情接待了慰问组。张阳平主席代表市科协向李晋闽董事长献上鲜花，对公司科技工作者为推动行业科技进步和地方经济发展所作出的贡献表示衷心感谢。他指出，科技工作者是创新发展的核心力量，希望大家继续发挥科技引领作用，培养更多优秀科技人才，为科技创新事业注入新活力。卫玉玺总工程师强调，长治高新区将持续优化创新生态，为企业科技攻关提供全方位支持。
李晋闽董事长表示，公司的发展离不开省市区各级单位的关心支持，中科潞安将牢记“科技报国”使命，聚焦紫外LED关键核心技术攻关，加速科技成果转化，为培育第三代半导体新质生产力贡献力量。
此次走访慰问活动，向中科潞安长期扎根科研一线的科技工作者们致以崇高的敬意与诚挚的祝福。生动展现科技工作者报国为民的风采，大力弘扬科学家精神，增强了科技工作者荣誉感和科技报国的使命感、紧迫感，营造全社会支持科技事业、爱护科技人才的浓厚氛围。
推荐阅览
全球UVC LED芯片市场前10强生产商排名中科潞安排名第八
紫外LED一般指发光中心波长在405 nm以下的LED，LED业界通常将发光波长位于355～405 nm时称为近紫外LED，而短于280 nm时称为深紫外LED。目前在LED的研究和生产中用到最多的材料GaN的禁带宽度为3.4 eV，对应的发光波长为365 nm，刚好处于近紫外波段范围，因此，近紫LED中一般采用GaN作为基材。而深紫外LED通过在基材GaN中添加A l 扩大带隙，获得更短的发光波长。
2023-12-22
近十年来，随着紫外固态器件的外延生长、制备工艺以及封装技术的快速发展，基于日盲区LED的紫外光通信光源凭借高带宽、易于携带、无毒环保的优点逐步取代了传统的汞灯、气体放电灯等光源。Micro-LED是新兴的工艺技术，它可以实现更大更均匀的注入电流密度，有利于研究大注入状态LED物理现象。特别是近几年，UVC Micro-LED在紫外光通信、显示等领域中展现出了广阔的应用前景，引起了人们的关注和研究热情。
2023-12-22
在线客服
